Резистивное испарение (также известное как катодное испарение) - это наиболее простой и наименее дорогой тип охлаждения. Испарение происходит путем постепенного увеличения тока, текущего через катод, чтобы сначала расплавить петли материала, который будет испаряться, покрывая катод. После того, как катод покрыт, ток через него увеличивается до тех пор, пока не произойдет испарение. Основным преимуществом резистивного испарения является большое разнообразие материалов, которые могут быть испарены.
Наименование
|
Область применения и методы нанесения
|
РС-5406
|
Для получения низкоомных резистивных слоев с широким диапазоном удельного сопротивления и положительным температурным коэффициентов сопротивления порядка 10-5 град-1, обладающих коррозионной стойкостью и способностью к адгезии, методом взрывного испарения с вольфрамового испарителя.
|
РС-5402
|
Для получения низкоомных резистивных слоев с низким температурным коэффициентом сопротивления обладающих коррозионной стойкостью и способностью к адгезии, методом взрывного испарения. Возможно получение низкоомных резистивных слоев с отрицательным коэффициентом сопротивления.
|
РС-4800
|
Для получения резистивных промежуточных слоев, обладающих высокой износостойкостью, коррозионной стойкостью и способностью к адгезии, методом взрывного испарения с вольфрамового испарителя.
|
РС-4400
|
Для получения резистивных слоев, обладающих высокой износостойкостью, коррозионной стойкостью и способностью к адгезии и стабильной работе в течение длительного времени при температуре до 4000С, методом взрывного испарения с вольфрамового испарителя.
|
РС-3710
|
Для получения резистивных слоев тонкопленочных изделий электронной техники общего и частного назначения методом взрывного испарения с вольфрамового испарителя.
|
РС-3001
|
Для получения резистивных слоев прецизионных тонкопленочных изделий электронной техники частного назначения методом испарения навесок порошка с вольфрамового испарителя.
|
РС-1714
|
Для получения резистивных слоев тонкопленочных изделий электронной техники общего назначения методом испарения навесок порошка в сухом виде или спиртовой суспензии с вольфрамового испарителя на установке типа УВН-2М-2.
|
РС-1004
|
Для получения высокоомных резистивных слоев тонкопленочных микросхем частного назначения методом взрывного испарения с вольфрамового испарителя.
|